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  • HCLD-III絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀
    HCLD-III絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀
    HCLD-III電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器
    HCLD-III控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器
    HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器

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    型號(hào):HCLD-III

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    操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器
    HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器

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    型號(hào):HCLD-III

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    高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)測(cè)試儀器是根據(jù)GB 4706.1-2008 GB 4207-2003 GB/T6553-2003 IEC60112 -2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL 746A、ASTM D 3638-92、DIN 53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III海淀區(qū)華測(cè)高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III海淀區(qū)華測(cè)高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

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    型號(hào):HCLD-III

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    海淀區(qū)華測(cè)高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是根據(jù)GB 4706.1-2008 GB 4207-2003 GB/T6553-2003 IEC60112 -2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL 746A、ASTM D 3638-92、DIN 53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III北京市華測(cè)試驗(yàn)儀器高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置
    HCLD-III北京市華測(cè)試驗(yàn)儀器高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置

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    北京市華測(cè)試驗(yàn)儀器高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置是根據(jù)GB 4706.1-2008 GB 4207-2003 GB/T6553-2003 IEC60112 -2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL 746A、ASTM D 3638-92、DIN 53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III電氣連接件高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III電氣連接件高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

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    型號(hào):HCLD-III

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    電氣連接件高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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